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倾佳电子行业洞察：中国SiC碳化硅功率半导体发展趋势与企业采购策略深度解析
倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半导体器件以及新能源汽车连接器。
倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块...
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9月24日至26日，PCIM Asia Shanghai 2025上海国际电力元件、可再生能源展览会在上海新国际博览中心隆重开幕。基本半导体与合作伙伴东芝电子元件联合参展，集中展示双方共同研发的功率半导体产品和解决方案，并重磅发布了全新封装碳化硅MOSFET、工业级及汽车级碳化硅功率模块等多款新品及配套驱动方案，系统呈现了公司在碳化硅功率器件领域的技术积累与产业链整合能力。
工业级碳化硅功率模块新品及配套驱动
基本半导体此次推出了ED3、E3B、...
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*本论文摘要由PCIM官方授权发布
内容摘要
每个功率开关都需要一个驱动电路，这是必要的，但容易被忽视。栅极驱动电路对功率器件的开关过程有着非常重要的影响，本文分析了驱动电路的输出能力和杂散参数这两个参数。本文以 SiC MOSFET关断过程为基础，分析了与驱动电路输出能力和杂散参数相关的影响因素，并通过理论分析和仿真结果进行验证。此外，还列出了栅极驱动器回路设计技巧，以提供一些建议。
引言
如今，随着能源结构的发展，电动汽车和可再生能源以...
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BMH027MR07E1G3碳化硅MOSFET全桥模块在出口型高端逆变焊机中的应用技术优势
一、模块核心特性与优势
1. 高性能电气参数
耐压与电流能力：
最高漏源电压 VDSS=650 VV，连续工作电流 ID=40 A(结温 Tj=100∘C)，脉冲电流 80 A，满足逆变焊机高功率输出的需求。
超低导通电阻：典型值 RDS(on)=30 mΩ(VGS=18 V)，显著降低导通损耗，提升整机效率。
2. 高频开关与低损耗...
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英飞凌新发布了CoolSiC MOSFET Gen2系列产品，单管有D2PAK-7L表贴式和TO-247-4HC高爬电距离通孔式两种封装形式。与上一代产品相比，英飞凌全新的CoolSiC MOSFET 650V和1200V Gen2技术在确保质量和可靠性的前提下，进一步提升了MOSFET的主要性能指标，拥有更高的效率和功率密度。Gen2SiC性价比提高了15%，是各种工业应用的理想之选。
G2主要有以下几方面优势：
业界最低Rdson*A
单位面积电...
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B2M600170H与B2M600170R——国产1700V SiC MOSFET在辅助电源中的全面进口替代方案
引言
随着新能源、工业电源及电动汽车等领域的快速发展，辅助电源对高效率、高功率密度及高温稳定性的需求日益迫切。传统的硅基器件已逐渐难以满足严苛的性能要求，而碳化硅(SiC)MOSFET凭借其优异的开关速度、低导通损耗和高温耐受能力，成为理想选择。然而，进口SiC MOSFET的高成本与供应链风险制约了其广泛应用。
BA...
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引言
随着科技的不断进步，无线充电技术已经成为现代生活中不可或缺的一部分。从智能手机到电动汽车，无线充电的应用场景越来越广泛。高效、紧凑的功率器件成为了市场的迫切需求。今天我们将深入探讨几款在无线充电领域表现出色的产品：MOSFET、JSFET和ESD静电防护器件，以及它们的技术优势和应用场景。
无线充电的核心元器件—JSFET
JJM
JSFET（ Junction Field-Effect Transistor）是一种场效应晶体管，广泛应用于无线充...
