【新启航】玻璃晶圆 TTV 厚度测量数据异常的快速定位与解决方案

一、引言

玻璃晶圆总厚度偏差(TTV)测量数据的准确性,对半导体器件、微流控芯片等产品的质量把控至关重要 。在实际测量过程中,数据异常情况时有发生,不仅影响生产进度,还可能导致产品质量隐患 。因此,研究玻璃晶圆 TTV 厚度测量数据异常的快速定位方法与解决方案,对保障生产效率和产品质量具有重要意义。

二、数据异常的常见类型

2.1 数据波动剧烈

测量数据在短时间内频繁大幅波动,无明显规律。如同一玻璃晶圆不同测量点的 TTV 值差异过大,或同一测量点多次测量结果波动超出正常范围,使得测量结果失去参考价值。

2.2 数据整体偏移

测量所得的 TTV 数据整体偏离正常范围,呈现偏高或偏低的趋势。连续多片晶圆测量数据均出现类似偏移,可能导致对晶圆质量的误判,影响后续工艺决策。

2.3 数据缺失或错误值

测量数据记录中存在部分数据缺失,或出现不符合逻辑的错误值,如厚度为负数等情况。这类异常直接破坏数据的完整性和准确性,干扰质量评估流程。

三、数据异常原因分析

3.1 测量设备故障

接触式测量设备的探头磨损、变形,会导致接触力不稳定,影响测量信号的准确性;非接触式设备如光学干涉仪,光源老化、探测器灵敏度下降,会使反射光信号采集异常 。此外,设备软件算法漏洞、参数设置错误,也会造成数据处理失误,如错误的背景扣除、滤波参数不当等。

3.2 环境因素干扰

环境温度、湿度的波动会使玻璃晶圆发生热胀冷缩或受潮变形,影响测量结果 。车间内的电磁干扰、振动、气流扰动等,会干扰测量设备的正常工作,导致信号采集与传输出现偏差 。例如,强电磁干扰可能使设备电子元件工作异常,振动会导致晶圆位置偏移,影响测量精度。

3.3 样品自身问题

玻璃晶圆表面存在划痕、杂质、不平整等缺陷,会改变测量时的反射信号或接触状态,导致测量数据异常 。晶圆内部应力分布不均,在测量过程中因应力释放产生微小形变,也会造成测量结果偏差 。

3.4 人为操作失误

操作人员未按规范操作设备,如接触式测量时探头放置角度不当、压力施加不均匀;测量前未对设备进行校准、未正确设置测量参数;数据记录和传输过程中出现误操作等,都可能引发测量数据异常 。

四、快速定位方法

4.1 设备自诊断与检查

利用测量设备自带的自诊断功能,检查硬件状态,如探头是否正常、光源强度是否达标、探测器是否灵敏等 。同时,验证设备软件算法运行是否正常,参数设置是否符合测量要求 。通过设备自检初步判断是否为设备故障导致数据异常。

4.2 环境参数核查

实时监测测量环境的温度、湿度、电磁干扰、振动等参数,与设备正常工作的环境要求进行对比 。若环境参数超出允许范围,分析其对测量数据的影响程度,判断是否为环境因素导致数据异常。

4.3 样品复查

对测量数据异常的玻璃晶圆样品进行外观检查,查看表面是否存在缺陷 。采用其他测量手段或设备,对样品进行二次测量,对比测量结果,判断样品自身是否存在问题影响测量数据。

4.4 操作流程追溯

回顾操作人员的测量过程,检查操作步骤是否规范,参数设置是否正确,数据记录与传输是否有误 。通过追溯操作流程,查找人为操作因素导致数据异常的原因。

五、解决方案

5.1 设备故障处理

若诊断为设备硬件故障,及时联系设备供应商或维修人员进行维修、更换损坏部件 。对于软件算法问题,更新设备软件版本或重新设置正确参数,并对设备进行校准和验证,确保设备恢复正常工作后再进行测量。

5.2 环境改善

当确定是环境因素导致数据异常时,改善测量环境。如在测量区域安装恒温恒湿设备,控制温度、湿度在设备正常工作范围内;采取电磁屏蔽措施,减少电磁干扰;安装减震装置、优化气流布局,降低振动和气流扰动 。待环境稳定后,重新进行测量。

5.3 样品处理

针对样品自身问题,若表面存在杂质,对样品进行清洁处理;若有轻微划痕等缺陷,评估其对 TTV 测量的影响程度,必要时更换样品 。对于内部应力大的晶圆,结合工艺要求,判断是否可通过退火等处理方式改善,或直接判定为不合格品。

5.4 操作规范强化

若为人为操作因素导致数据异常,对操作人员进行培训,强化操作规范意识,确保其熟练掌握设备操作流程和参数设置方法 。建立严格的数据记录和传输核查机制,避免因人为失误造成数据错误。

高通量晶圆测厚系统运用第三代扫频OCT技术,精准攻克晶圆/晶片厚度TTV重复精度不稳定难题,重复精度达3nm以下。针对行业厚度测量结果不一致的痛点,经不同时段测量验证,保障再现精度可靠。​

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我们的数据和WAFERSIGHT2的数据测量对比,进一步验证了真值的再现性:

(以上为新启航实测样品数据结果)

该系统基于第三代可调谐扫频激光技术,相较传统双探头对射扫描,可一次完成所有平面度及厚度参数测量。其创新扫描原理极大提升材料兼容性,从轻掺到重掺P型硅,到碳化硅、蓝宝石、玻璃等多种晶圆材料均适用:​

对重掺型硅,可精准探测强吸收晶圆前后表面;​

点扫描第三代扫频激光技术,有效抵御光谱串扰,胜任粗糙晶圆表面测量;​

通过偏振效应补偿,增强低反射碳化硅、铌酸锂晶圆测量信噪比;

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(以上为新启航实测样品数据结果)

支持绝缘体上硅和MEMS多层结构测量,覆盖μm级到数百μm级厚度范围,还可测量薄至4μm、精度达1nm的薄膜。

(以上为新启航实测样品数据结果)

此外,可调谐扫频激光具备出色的“温漂”处理能力,在极端环境中抗干扰性强,显著提升重复测量稳定性。

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(以上为新启航实测样品数据结果)

系统采用第三代高速扫频可调谐激光器,摆脱传统SLD光源对“主动式减震平台”的依赖,凭借卓越抗干扰性实现小型化设计,还能与EFEM系统集成,满足产线自动化测量需求。运动控制灵活,适配2-12英寸方片和圆片测量。

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